【48812】除了全球首颗2纳米芯片IBM在半导体范畴还有哪些开创性的奉献？

  今日，IBM造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片的音讯，在半导体圈和IT圈都现已刷屏了。究竟，依据IBM所揭露的信息，该2nm芯片的晶体管密度(MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管)为333.33，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要更高。

  许多的媒体和专业技能人员都在惊叹IBM在推动半导体制程方面所取得的打破性成果。

  不过也有吃瓜大众表明不理解，为什么不是台积电，也不是三星，这些现已把握了5纳米技能的芯片制作大厂初次将芯片制程推动到2纳米？

  乃至有人用讪笑的口气表明，IBM这是放了颗卫星吧？连自己的芯片工厂都卖给格罗方德（Global Foundry）的公司，还能在半导体制作范畴有这么大的立异才能？

  那这些网友或许就对IBM在半导体范畴的成果和立异打破不了解了吧？事实上，正如许多专业技能人员所了解的，在全球半导体工业开展的进程中，IBM也无愧于蓝色伟人的人物，它从前推出多项打破性的半导体技能，关于半导体工业的开展作出了巨大奉献：

  咱们了解的DRAM内存芯片就有着IBM的巨大奉献。在1966年，IBM的科学家RobertDennard创意咋现，发明晰单晶体管DRAM，随后的1970年，英特尔公司选用三晶体管单元规划办法推出了容量为1KB的DRAM芯片，并取得了巨大的商业成功，随后美国日本等多家芯片制作商运用IBM科学家的单晶体管设想制作出了4KB以及以上的DRAM芯片，一向到现在数Gb容量的DRAM芯片，一向伴随着咱们在信息世界的运用。

  在1982年，IBM的科学家Kanti Jain提出了“excimer laser lithography（准分子激光光刻）”技能，这是一项开创性的设想。，直到现在，准分子激光光刻机器（步进和扫描仪）被不断更新换代，仍然在全球集成电路制作中得到遍及运用。在曩昔的将近40年中，准分子激光光刻技能一向是摩尔定律持续推动的重要的条件，也成果了ASML这样的光刻机巨子。

  在1994年，屡有立异的IBM研究院取得了硅锗半导体芯片制作专利。经过IBM专家的试验，硅锗半导体更简单取得，也可以进步其时集成电路的速度和通用性。经过硅锗资料制作成的芯片可以更好地进步频率，进步功能，然后让芯片制作商制作出更为贱价、体积更小、能效更高的芯片，让芯片在无线职业的运用取得了或许，直到现在，硅锗资料的芯片仍然是干流。

  在1997年，IBM的研究院又建功了。这次是宣告研制成功铜互连技能来制作芯片，这可以比运用铝互联技能让芯片取得更为优异的功能，可以让芯片更快、更小、更廉价。与铝互联技能比较，铜线%，这就使得微处理器的速度能再进步15%。

  在IBM宣告铜互连技能取得成功之后，各个厂商不断跟进，更小、更高效的芯片技能得以不断被开发，其间重要的原因是铜互连技能的成功研制，一向到目前为止，铜互连技能仍然是芯片制作中运用最为广泛的技能，铜也持续是芯片规划与制作的最底子资料。

  在2004年的12月，IBM宣告在全球初次选用浸没式光刻（Immersion Lithography）这项新的制作技能，这是一项可以使芯片尺寸做得更小的技能，然后可以用来出产制程水平更高的芯片。

  所谓浸没式光刻技能是有别于传统光刻技能的一项技能。在传统的光刻技能中，其镜头与光刻胶之间的介质是空气，而所谓浸没式技能是将空气介质换成液体。实际上，浸没式技能使用光经过液体介质后光源波长缩短来进步分辨率，其缩短的倍率即为液体介质的折射率。

  事实上，依据媒体的表述，在此次2纳米制程研制成功之前，IBM也是首先造出7纳米（2015年）和5纳米（2017年）芯片的厂商，只不过现在首先将7纳米和5纳米面向商用的，是三星和台积电，与IBM严密协作的格罗方德并没有可以跟上脚步。

  此次IBM宣告2纳米芯片制作工艺研制成功，格罗方德是否会直接越过7纳米和5纳米，在2纳米制程工艺范畴，与三星、台积电厮杀呢？

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